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AOS發(fā)布了最新的用于USB PD負載開關(guān)的P并MOS管

來源: 日期:2021-11-25

AOS發(fā)布了最新的用于USB PD負載開關(guān)的P并MOS管

寬范圍輸入電壓,通用且強壯的USB PD負載開關(guān)解決方案

日前,集設(shè)計開發(fā),生產(chǎn)和全球銷售一體化的著名功率半導(dǎo)體及芯片供應(yīng)商AOS萬國半導(dǎo)體(AOS,納斯達克代碼:AOSL),現(xiàn)推出一款新的P MOS管--AONR21357,通過改良的P預(yù)先制程實現(xiàn)實現(xiàn)的損耗和更可靠的啟動,標準的DFN 3 * 3封裝,BVDss = -30V,VGS = -25V,Rdson = 12.3mohm @ VGS = -4.5V,是有用的筆記本電源適配器和電池的負載開關(guān)的理想產(chǎn)品。

USB Typc-C已經(jīng)成為PC和移動電話的主流介面,于是,USB-PD標準因覆蓋了多種便攜式設(shè)備的不同的電力傳輸?shù)男枨竽軌驈V泛實施。負載開關(guān)電路用于控制電源匯流排的開/關(guān),AONR21357用于負載開關(guān)適用于寬范圍輸入輸出電壓,并且其強壯和高可靠性適用于各種工作條件。AOS改進的P系列技術(shù)應(yīng)對產(chǎn)品足夠強壯以應(yīng)對在線性模式下工作,超低的米勒平臺(<3.5V)可以覆蓋主流的USB-PD電壓。

 “ AONR21357完全滿足-30VDS / -25VGS這個規(guī)格的P串聯(lián)MOS管的應(yīng)用需求,出色的性能例如超低米勒平臺和低損耗的開關(guān)特性確保其可靠性和安全性的工作區(qū)域,從而使研發(fā)工程師能夠利用P MOS管實現(xiàn)簡單的設(shè)計” AOS低壓MOSFET產(chǎn)品總監(jiān)Rack Tsai。

技術(shù)優(yōu)點:

這個新的產(chǎn)品線可以提供各種不同的RDSON和各種封裝的產(chǎn)品。